3、4寸磷化銦單晶晶錠(S/Fe/Zn---InP)


InP單晶片品質參數(VGF法生長)







品種 直徑(inch) 類型 載流子濃度(cm-3) 電子遷移率(cm2/V.s) 電阻率(Ω.m) 錯位密度(cm-2)
InP 2 N ≤1×1016 (3.5-4)×103
<1×103
S-InP 2 N (0.5-1)×1017 (2-4)×103
<500
3 (0.5-1)×1017 (2-4)×103
<1×103
4 (0.5-1)×1017 (2-4)×103
<2×103
Zn-InP 2/3/4 P (0.5-1)×1017 50-70
<1×103
Fe-InP 2 SI
>2000 >0.5×107 <2.5×103
3
4
晶片單位麵拋光或雙麵拋光,開盒即用。晶向(100),2英寸片標準厚度350±25μm,3英寸片標準厚度500±25μm,4英寸片標準厚度625±25μm,其他特殊規格根據要求加工。