3寸開盒即用型磷化銦單晶片(S/Fe/Zn---InP),多片盒裝



InP單晶片品質參數(VGF法生長)







品種直徑(inch)類型載流子濃度(cm-3)電子遷移率(cm2/V.s)電阻率(Ω.m)錯位密度(cm-2)
InP2N≤1×1016(3.5-4)×103
<1×103
S-InP2N(0.5-1)×1017(2-4)×103
<500
3(0.5-1)×1017(2-4)×103
<1×103
4(0.5-1)×1017(2-4)×103
<2×103
Zn-InP2/3/4P(0.5-1)×101750-70
<1×103
Fe-InP2SI
>2000>0.5×107<2.5×103
3
4
晶片單位麵拋光或雙麵拋光,開盒即用。晶向(100),2英寸片標準厚度350±25μm,3英寸片標準厚度500±25μm,4英寸片標準厚度625±25μm,其他特殊規格根據要求加工。