亚游集团光電致力於磷化銦單晶的生長研發和磷化銦單晶圓基片加工。磷化銦（InP）是Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料；有兩個獨特的物理性能：波長穩定和高遷移率。因此磷化銦成為唯一能應用於微波、毫米波器件領域中的高端材料。磷化銦單晶VGF法生長合格值是EPD≦3000cm2,我司成功生長的磷化銦單晶EPD≦1400cm2
2、3、4寸開盒即用型磷化
2寸開盒即用型磷化銦單晶
InP單晶片品質參數(VGF法生
3、4寸磷化銦單晶晶錠(S
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